RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3824
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link