RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3637
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link