RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3098
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link