RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1688
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link