RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1853
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link