RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1868
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link