RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3282
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link