RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
51
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2314
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link