RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 8.7
    Średnia wartość w badaniach
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.6 left arrow 12.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 8.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2174 left arrow 2257

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Porównanie pamięci RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Pamięć RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pamięć RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Pamięć RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Pamięć RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Pamięć RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Pamięć RAM