RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2253
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link