RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2413
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link