RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2987
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CML32GX3M4A1866C10 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link