RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
70
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
70
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2519
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link