RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2386
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link