RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2969
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link