RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3694
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link