RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2366
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 9905471-064.A00LF 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link