RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2853
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link