RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2337
3137
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link