RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Porównaj
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
95
Wokół strony -280% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
3.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
95
25
Prędkość odczytu, GB/s
4.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
635
3404
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link