RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2113
2088
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link