RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2113
2361
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link