RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2903
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link