RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3714
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link