RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2173
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link