RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
53
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
53
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
2301
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link