RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
18.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3236
3227
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link