RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2808
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link