RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
3325
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link