RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3648
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link