RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
67
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2021
1798
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link