RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
25
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3023
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link