RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
23
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
23
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3036
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link