RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
34
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
34
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3193
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link