RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
18
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
18
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3507
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link