RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
23
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
23
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2298
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link