RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3040
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link