RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
27
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3692
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link