RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
52
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
52
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2236
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link