RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
23
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
23
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2231
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link