RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2901
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link