RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
44
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
1660
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link