RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VS1GB800D2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,361.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,680.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,361.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
460
2633
Corsair VS1GB800D2 1GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link