RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,839.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,246.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,839.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
721
3403
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link