RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
15.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3477
2103
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link