RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
55
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2457
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link