RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2813
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link