RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
3482
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link