RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
14.7
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3705
3341
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link