RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
94
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
1390
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link